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MJD200G PDF下载
- 大小：88K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： TRANSISTOR, RF; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Power Dissipation Pd:1.4W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:65; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Gain Bandwidth ft Typ:65MHz; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:1.4W
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